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| 用語 | 記 号 |
定義 |
|---|---|---|
| EIAJ規格 | 電子情報技術産業協会(JEITA)規格 EIAJ RC-2364A 「アルミニウム電解コンデンサ用電極はくの試験方法」 (1999年3月改訂) | |
| コンデンサ | 特に断わらない限りアルミニウム電解コンデンサを意味する | |
| 箔 | コンデンサに使用する電極用アルミニウム箔 | |
| 化成処理 | 箔の表面に、誘電体であるアルミニウム酸化皮膜（Al2O3）を陽極酸化によって生成させる処理 | |
| 化成箔 | 表面に化成処理を行なった箔 | |
| 未化成箔 | 表面に化成処理を行なっていない箔 | |
| 陽極箔 | コンデンサの陽極に用いる箔 | |
| 陰極箔 | コンデンサの陰極に用いる箔 | |
| 化成電圧 | Vfe | 未化成箔を化成処理するときに印加する最終電圧 |
| 定格 皮膜耐電圧 |
Vp Vf |
化成箔の皮膜耐電圧（Vtp、Vt）の定格値で、受渡当事者間の協定による電圧 JCC製化成箔はVtp（V）≧Vp（V）、Vt（V）≧Vf（V）である なお、Vpは極低圧用化成箔の定格皮膜耐電圧を示し、Vfはそれ以外の化成箔の定格皮膜耐電圧を意味する |
| 立上がり時間 | Tr | 「皮膜耐電圧試験法」の電流を流し始めてから化成箔への印加電圧が定格皮膜耐電圧（Vp、Vf）の90％の値に上昇到達するまでの時間【EIAJ規格】 |
| 皮膜耐電圧 | Vtp Vt |
「皮膜耐電圧試験法」の測定で得られる化成箔の耐電圧で、立上がり時間（Tr）から３分後の電圧とする ただし、未化成箔を「未化成陽極箔化成処理方法」によって化成処理した場合は、Trから1分後の電圧とする【EIAJ規格】 なお、Vtpは極低圧用化成箔の皮膜耐電圧を示し、Vtはそれ以外の化成箔の皮膜耐電圧を意味する |
| 定格電圧 | WV | コンデンサの定格電圧 |
| 純水 | 純度が高く、25±2℃における比抵抗が１０MΩ・cm以上の水 | |
| 水和処理 | 箔を高温の純水中で煮沸する処理 | |
| 耐水和性試験 | 水和処理に対する箔の安定性を評価する試験 | |
| 極低圧用 化成箔 |
定格皮膜耐電圧（Vp）が、 7.1V未満の化成箔 （定格皮膜耐電圧（Vf）が、 7.6V未満の化成箔） |
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| 低圧用化成箔 | 定格皮膜耐電圧（Vf）が、7.6V以上170V未満の化成箔 | |
| 中高圧用 化成箔 |
定格皮膜耐電圧（Vf）が170V以上の化成箔 | |
| 陰極用化成箔 | 表面に化成処理を行なった陰極箔（注） |
（注）陰極用化成箔の皮膜耐電圧は「JCC陰極用化成箔試験法」を適用する